technische information / technical information igbt-module igbt-modules BSM50GB120DLC h?chstzul?ssige werte / maximum rated values elektrische eigenschaften / electrical properties kollektor-emitter-sperrspannung collector-emitter voltage t vj = 25 c v ces 1200 v kollektor-dauergleichstrom t c = 80 c i c,nom. 50 a dc-collector current t c = 25 c i c 115 a periodischer kollektor spitzenstrom repetitive peak collector current t p = 1 ms, t c = 80c i crm 100 a gesamt-verlustleistung total power dissipation t c =25c, transistor p tot 460 w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitter peak voltage v ges +/- 20v v dauergleichstrom dc forward current i f 50 a periodischer spitzenstrom repetitive peak forw. current t p = 1 ms i frm 100 a grenzlastintegral der diode i 2 t - value, diode v r = 0v, t p = 10ms, t vj = 125c i 2 t 430 a 2 s isolations-prfspannung insulation test voltage rms, f = 50 hz, t = 1 min. v isol 2,5 kv charakteristische werte / characteristic values transistor / transistor min. typ. max. kollektor-emitter s?ttigungsspannung i c = 50a, v ge = 15v, t vj = 25c v ce sat - 2,1 2,6 v collector-emitter saturation voltage i c = 50a, v ge = 15v, t vj = 125c - 2,4 2,9 v gate-schwellenspannung gate threshold voltage i c = 2ma, v ce = v ge , t vj = 25c v ge(th) 4,5 5,5 6,5 v gateladung gate charge v ge = -15v...+15v q g - 0,53 - c eingangskapazit?t input capacitance f = 1mhz,t vj = 25c,v ce = 25v, v ge = 0v c ies - 3,3 - nf rckwirkungskapazit?t reverse transfer capacitance f = 1mhz,t vj = 25c,v ce = 25v, v ge = 0v c res - 0,21 - nf kollektor-emitter reststrom collector-emitter cut-off current gate-emitter reststrom gate-emitter leakage current v ce = 0v, v ge = 20v, t vj = 25c i ges - - 400 na prepared by: mod-d2, mark mnzer date of publication: 2003-01-10 approved by: sm tm; wilhelm rusche revision: 3.0 5ma v ce = 1200v, v ge = 0v, t vj = 25c i ces -- 1(8) db_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10
technische information / technical information igbt-module igbt-modules BSM50GB120DLC charakteristische werte / characteristic values transistor / transistor min. typ. max. einschaltverz?gerungszeit (ind. last) i c = 50a, v ce = 600v turn on delay time (inductive load) v ge = 15v, r g = 15 ? , t vj = 25c t d,on - 0,05 - s v ge = 15v, r g = 15 ? , t vj = 125c - 0,06 - s anstiegszeit (induktive last) i c = 50a, v ce = 600v rise time (inductive load) v ge = 15v, r g = 15 ? , t vj = 25c t r - 0,05 - s v ge = 15v, r g = 15 ? , t vj = 125c - 0,05 - s abschaltverz?gerungszeit (ind. last) i c = 50a, v ce = 600v turn off delay time (inductive load) v ge = 15v, r g = 15 ? , t vj = 25c t d,off - 0,25 - s v ge = 15v, r g = 15 ? , t vj = 125c - 0,30 - s fallzeit (induktive last) i c = 50a, v ce = 600v fall time (inductive load) v ge = 15v, r g = 15 ? , t vj = 25c t f - 0,03 - s v ge = 15v, r g = 15 ? , t vj = 125c - 0,07 - s einschaltverlustenergie pro puls i c = 50a, v ce = 600v, v ge = 15v turn-on energy loss per pulse r g = 15 ? , t vj = 125c, l = 120nh e on - 6,4 - mj abschaltverlustenergie pro puls i c = 50a, v ce = 600v, v ge = 15v turn-off energy loss per pulse r g = 15 ? , t vj = 125c, l = 120nh e off - 6,2 - mj kurzschlu?verhalten t p 10s, v ge 15v, r g = 15 ? sc data t vj 125c, v cc =900v, v cemax =v ces -l ce di/dt i sc - 400 - a modulinduktivit?t stray inductance module l ce - 40 - nh modul leitungswiderstand, anschlsse ? chip module lead resistance, terminals ? chip t c =25c r cc?+ee? - 1,0 - m ? charakteristische werte / characteristic values diode / diode min. typ. max. durchla?spannung i f = 50a, v ge = 0v, t vj = 25c v f - 1,8 2,3 v forward voltage i f = 50a, v ge = 0v, t vj = 125c - 1,7 2,2 v rckstromspitze i f = 50a, - di f /dt = 1300a/s peak reverse recovery current v r = 600v, v ge = -15v, t vj = 25c i rm -52- a v r = 600v, v ge = -15v, t vj = 125c -66- a sperrverz?gerungsladung i f = 50a, - di f /dt = 1300a/s recovered charge v r = 600v, v ge = -15v, t vj = 25c q r - 5,1 - c v r = 600v, v ge = -15v, t vj = 125c - 10,7 - c abschaltenergie pro puls i f = 50a, - di f /dt = 1300a/s reverse recovery energy v r = 600v, v ge = -15v, t vj = 25c e rec - 1,9 - mj v r = 600v, v ge = -15v, t vj = 125c -4-mj 2(8) db_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10
technische information / technical information igbt-module igbt-modules BSM50GB120DLC thermische eigenschaften / thermal properties min. typ. max. innerer w?rmewiderstand transistor / transistor, dc r thjc - - 0,27 k/w thermal resistance, junction to case diode/diode, dc - - 0,60 k/w bergangs-w?rmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro modul / per module ?? = 1 w/m * k / grease = 1 w/m * k r thck - 0,05 - k/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur maximum junction temperature t vj max - - 150 c betriebstemperatur operation temperature t vj op -40 - 125 c lagertemperatur storage temperature t stg -40 - 125 c mechanische eigenschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage case, see appendix innere isolation internal insulation al 2 o 3 kriechstrecke creepage distance 20 mm luftstrecke clearance distance 11 mm cti comperative tracking index 275 anzugsdrehmoment f. mech. befestigung mounting torque anzugsdrehmoment f. elektr. anschlsse terminal connection torque gewicht weight g 250 g mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. this technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes. anschlsse / terminals m5 m nm nm 3,0 6,0 - 2,5 5,0 - m schraube / screw m6 3(8) db_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10
technische information / technical information igbt-module igbt-modules BSM50GB120DLC i c [a] v ce [v] i c [a] v ce [v] 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 tvj = 25c tvj = 125c ausgangskennlinie (typisch) i c = f (v ce ) output characteristic (typical) v ge = 15v 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 vge = 17v vge = 15v vge = 13v vge = 11v vge = 9v vge = 7v ausgangskennlinienfeld (typisch) i c = f (v ce ) output characteristic (typical) t vj = 125c 4(8) db_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10
technische information / technical information igbt-module igbt-modules BSM50GB120DLC i c [a] v ge [v] i f [a] v f [v] 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 56789101112 tvj = 25c tvj = 125c bertragungscharakteristik (typisch) i c = f (v ge ) transfer characteristic (typical) v ce = 20v 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 tvj = 25c tvj = 125c durchla?kennlinie der inversdiode (typisch) i f = f (v f ) forward characteristic of inverse diode (typical) 5(8) db_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10
technische information / technical information igbt-module igbt-modules BSM50GB120DLC e [mj] i c [a] e [mj] r g [ ? ] 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 0 102030405060708090100 eoff eon erec schaltverluste (typisch) e on = f (i c ) , e off = f (i c ) , e rec = f (i c ) switching losses (typical) v ge =15v, r g =15 ? , v ce = 600v, t vj = 125c 0 4 8 12 16 20 24 28 0 20 40 60 80 100 120 140 eoff eon erec schaltverluste (typisch) e on = f (r g ) , e off = f (r g ) , e rec = f (r g ) switching losses (typical) v ge =15v , i c = 50a , v ce = 600v , t vj = 125c 6(8) db_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10
technische information / technical information igbt-module igbt-modules BSM50GB120DLC z thjc [k / w] t [s] i 1234 r i [k/kw] : igbt 52,7 177,41 14,08 25,81 i c [a] v ce [v] sicherer arbeitsbereich (rbsoa) reverse bias safe operation area (rbsoa) v ge =15v, r g = 15 ? , t vj = 125c transienter w?rmewiderstand z thjc = f (t) transient thermal impedance 0 20 40 60 80 100 120 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 ic,modul ic,chip 0,001 0,01 0,1 1 0,001 0,01 0,1 1 10 zth:diode zth:igbt 7(8) db_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10
technische information / technical information igbt-module igbt-modules BSM50GB120DLC 8(8) db_BSM50GB120DLC_3.0 2003-01-10
nutzungsbedingungen die in diesem produktdatenblatt enthaltenen daten sind ausschlie?lich fr technisch geschultes fachpersonal bestimmt. die beurteilung der geeignetheit dieses produkte s fr die von ihnen anvisierte anwendung sowie die beurteilung der vollst?ndigkeit der bereitgestellten produktdaten fr diese anwendung obliegt ihnen bzw. ihren technischen abteilungen. in diesem produktdatenblatt werden diejenigen merkmale besch rieben, fr die wir eine liefervertragliche gew?hrleistung bernehmen. eine solche gew?hrleistung richtet sich ausschlie?l ich nach ma?gabe der im jeweiligen liefervertrag enthaltenen bestimmungen. garantien jeglicher art werden fr das produkt und dessen eigenschaft en keinesfalls bernommen. sollten sie von uns produktinformationen ben?tigen, die ber den inhalt dieses produktdatenbl atts hinausgehen und insbesondere eine spezifische verwendung und den einsatz dieses produktes betreffen, setzen sie sich bitte mit dem fr sie zust?ndigen vertriebsbro in verbindung (siehe www.eupec.com, vertrieb&kontakt). fr interessent en halten wir application notes bereit. aufgrund der technischen anforderungen k?nnte unser produkt ge sundheitsgef?hrdende substanzen enthalten. bei rckfragen zu den in diesem produkt jeweils enthaltenen s ubstanzen setzen sie sich bitte ebenfalls mit dem fr sie zust?ndigen vertriebsbro in verbindung. sollten sie beabsichtigen, das produkt in anwendungen der luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgef?hrdenden oder lebenserhaltenden anwendungsbereichen ei nzusetzen, bitten wir um mitteilung. wir we isen darauf hin, dass wir fr diese f?lle - die gemeinsame durchfhrung eines risiko- und qualit?tsassessments; - den abschluss von speziellen q ualit?tssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame einfhrung von ma?nahmen zu einer laufenden produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die belieferung v on der umsetzung solcher ma?nahmen abh?ngig machen. soweit erforderlich, bitten wir sie, entsprechende hinweise an ihre kunden zu geben. inhaltliche ?nderungen dieses produkt datenblatts bleiben vorbehalten. terms & conditions of usage the data contained in this product data s heet is exclusively intended for technically trained staff. you and your technical dep artments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. this product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditi ons of the supply agreement. there will be no guarantee of any kind for the product a nd its characteristics. should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please c ontact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). f or those that are specifically interested we may provide application notes. due to technical requirements our product may contain dangerous substances. for information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. should you intend to use the product in aviation applications , in health or live endangering or life support applications, plea se notify. please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint risk and quality assessments; - the conclusion of quality agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. if and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. changes of this product data sheet are reserved.
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